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ETF异动 | 存储概念ETF走强 机构认为行业投资逻辑正从“AI溢价“向“传统供给短缺“切换

时间2026-04-27 14:27:41

XL二南方海力士

XL二南三星

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智通财经APP获悉,存储概念涨幅居前,南方两倍做多海力士(07709)涨11.48%;南方两倍做多三星电子(07747)涨3.91%。公开资料显示,南方两倍做多海力士及南方两倍做多三星电子分别追踪韩国半导体巨头SK海力士及三星电子。此前,两家公司均交出刷新纪录的一季度业绩。截至4月27日,<span style="color: oklch(0.145 0 0); Apple Color Emoji", "Segoe UI Emoji", "Segoe UI Symbol", "Noto Color Emoji";  text-indent: 30px; background-color: rgb(255, 255, 255);">SK海力士盘中大涨逾7%。

消息面上,近日,据市场媒体报道,内存芯片短缺预计将持续至2027年前后。美国和韩国主要厂商正在扩产DRAM,但提产速度仅能覆盖约60%的市场需求。Counterpoint Research测算,若要缓解短缺,行业需在 2027年前实现约12%的年产能增长,但现有扩产计划仅为约7.5%。

美银美林研报指出,一季度财报季后,主要存储芯片制造商扩产HBM的热情明显降温,部分原本划拨给HBM的资本开支预算已被转移至传统DRAM乃至NAND。该行认为,存储行业的投资逻辑正从"AI溢价"向"传统供给短缺"切换。DRAM合同价格在2026年二季度已创历史新高,16Gb DDR5合同价格预计环比再涨逾20%;NAND合同价格同样处于历史高位,预计二季度将升至约30美元。传统存储的超强盈利能力,正在重塑芯片巨头的产能分配决策。

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