时代电气

纳芯微

目前，港股市場正迎來第三代功率半導體及上下游的密集資本化窗口。除了卡位IGBT/SiC IDM產能的中車時代電氣(03898)早年便已上市之外，近兩年寬禁帶功率器件的英諾賽科(02577)、SiC外延材料的天域半導體(02658)和瀚天天成(02726)，以及功率系統鏈路/功率周邊芯片的納芯微(02676)均已在港股陸續完成上市。

而這一趨勢目前仍在持續，瑤芯微、芯邁半導體、威兆半導體及尚鼎芯科技等企業已處於排隊中，競相角逐港股IPO。而於近日，又一家功率半導體企業向港交所遞表。這意味着，港股功率半導體板塊的集羣效應愈發凸顯，產業“拼圖”日趨完整。

智通財經APP觀察到，6月5日，深圳基本半導體股份有限公司(以下簡稱：基本半導體)向港交所主板遞交上市申請，國金證券(香港)有限公司、中銀國際為聯席保薦人。值得注意的是，該公司曾於2025年5月27日、12月4日兩次向港交所遞交上市申請，而此次已經是公司第三次遞表。

據弗若斯特沙利文數據，基本半導體是中國唯一一家整合了碳化硅芯片設計、晶圓製造、模塊封裝及柵極驅動設計與測試能力的企業。且若按2024年收入計算，基本半導體在中國碳化硅功率模塊市場排名第六，市場份額為2.9%，在中國公司中排名第三，已衝進本土化企業的第一梯隊。

但從業績表現來看，基本半導體目前仍處於持續虧損中。據招股書顯示，2023至2025年，基本半導體的收入分別約為2.21億、2.99億、3.11億元，同期的經調整淨虧損分別約為3.13億、2.03億、2.40億元，三年累計虧損超7.56億人民幣。

12輪融資吸金超10億，最後一輪投後估值51.6億元

成立於2016年的基本半導體，持續深耕於碳化硅功率半導體賽道。在公司創立的前三年中，基本半導體迅速完成了從技術研發到商業落地的跨越，於2017年成功開發出碳化硅分立器件後，2018年便推向了市場，並佈局研發更高集成度的碳化硅功率模塊。

而在接下來的三年中，基本半導體迎來了技術突破以及車規級驗證的加速。2019年中，基本半導體車輛級碳化硅分立器件成功進行早期車輛測試，標誌着產品開始進軍高門檻的汽車電子領域。2020年，基本半導體為完善產業鏈配套，研發功率半導體柵極驅動芯片，以實現更好的系統控制與應用。至2021年，基本半導體的車規級碳化硅功率模塊也完成了早期車輛測試，為後續大規模量產上車奠定了基礎。

自2022年以來，基本半導體則迎來了產能擴張與商業化加速的新階段。在2022年中公司製造端迎來重大突破，完成了無錫生產基地的建設;同時，與一家全球領先的新能源汽車製造商簽訂了長期協議，鎖定了核心客户資源。2023年公司進一步擴大生產版圖，完成了光明生產基地的建設，提升了整體制造能力。

在產能大幅擴張後，基本半導體的車規級產品於2024年迎來規模化放量，碳化硅功率模塊累計出貨量超過9萬件。與此同時，公司下游應用場景拓展成效漸顯，2025年實現了對工業級碳化硅功率模塊的大規模銷售。

截至目前，基本半導體主要為客户提供碳化硅功率模塊、碳化硅分立器件、功率半導體柵極驅動以及其他產品的銷售，2025年時，上述產品的收入佔比分別為39.3%、18.8%、33%、8.9%，多元化成效明顯。且該等產品已被廣泛應用於涵蓋新能源汽車、可再生能源系統、儲能系統、工業控制、數據及服務器中心及軌道交通等領域。

隨着公司多元化產品以及多元場景的持續拓展，基本半導體在各細分賽道中已有一定規模。據弗若斯特沙利文數據顯示，按2024年收入計，基本半導體在中國碳化硅功率模塊市場中，位列本土廠商第三名，且在中國碳化硅分立器件市場及功率半導體柵極驅動市場均排名第九位。

市場地位的確立離不開一級市場的持續“輸血”。智通財經APP觀察到，基本半導體從2016年成立到衝刺港交所期間，在一級市場合計進行了約12輪融資(至D++輪)，節奏密集，特別是在2021至2023年期間的C輪融資，一口氣進行了融了5個子輪(C1→C5)，本質上反映了公司IDM模式以及高研發階段的強投入特徵，而公司12輪融資“吸金”超10億人民幣。

歷經十二輪融資後，基本半導體已然構建起一個極具分量的股東矩陣：創始人團隊牢牢掌控話語權，輔以產業資本的戰略背書、頭部VC的資源賦能，以及多地國資的強力託底，為其衝刺資本市場提供了有力支撐。

截至目前，基本半導體創始人及實質控制人羣體合計持股約45.98%，擁有清華系創投和深圳國資背景的力合系資本合計持股5.78%、聞泰科技持股3.67%、招商系背景的英智科技、英智創新合計持股5.6%、博世創投持股2.18%、半導體產業基金安芯產業基金持股2.53%、廣汽智行持股約1.5%、中車青島持股約1.39%、北京屹唐持股約1.73%、深圳投控創智、中山基金分別持股約1.54%、1.45%。

值得注意的是，2025年4月完成D輪融資後，基本半導體投後估值定格在51.6億元。作為IPO前最後一筆有對價的一級市場定價，將成為二級市場博弈其真實內在價值的關鍵性參考。

多重因素致利潤端持續虧損，單位經濟模型仍未跑通

從財務表現看，收入端的持續成長是基本半導體的“加分項”，公司2023至2025年的收入分別約為2.21億、2.99億、3.11億元，年複合增速18.62%。但若拆分來看，各年度內的增長引擎並不相同。

2024年收入的增長主要由模塊和柵極驅動所帶動，二者的增速分別為89%、19.8%。模塊收入的大增主要得益於一家新能源汽車製造商在新推出若干車型後帶動需求顯著提升。而柵極驅動增長主要得益於向可再生能源領域拓展帶動需求增加。分立器件的收入則有所下滑，這主要是因為公司優化了銷量大但毛利低的產品。

2025年中，收入的增長則由分立器件、柵極驅動所帶動，二者的收入增速分別為12.3%、28.1%。前者收入增長主要是因為公司開始批量向若干客户交付第三代MOSFET產品;柵極驅動收入增長主要得益於新客户、新場景的拓展。模塊收入的下降是因為主要客户車型銷售低於預期。顯然，過往業績期內，僅有柵極驅動是在持續成長。

而基本半導體持續的大額虧損主要有兩方面的原因，其一是公司目前仍處於毛虧狀態。據招股書顯示，2023至2025年，基本半導體的毛損率分別為59.6%、9.7%、10.9%。這相當於公司2025年每賣出100元，便直接毛虧10.9元。

之所以持續處於毛虧狀態，是因為碳化硅賽道從2021—2022年的“缺芯溢價期”迅速掉進“產能釋放+玩家涌入所帶來的價格戰”紅海。2023年至2025年，基本半導體的碳化硅功率模塊的平均售價分別為2558.7元、2357.2元、677元，呈明顯的下滑趨勢。

而同期分立器件的平均售價分別為3.5元、5.7元、6.8元，呈明顯的上升趨勢，這主要得益於第三代MOSFET產品的交付持續改善了毛利率水平。但即使如此，該產品的平均售價仍明顯低於成本價，分立器件2025年的毛損率仍高達65.4%。

其次，IDM模式下產能利用率的偏低亦是造成毛損的重要原因。據招股書顯示，2025年，基本半導體主要用於晶圓製造的無錫生產基地的利用率僅40%，處於2023年以來的最低水平。

IDM模式雖然在行業上行週期能實現更強的爆發力，但在行業下行期產能利用率過低時，廠房、設備、潔淨室的折舊都是剛性支出，這導致固定成本不能攤薄從而制約了毛利率的改善。

如果説負毛利是基本半導體利潤表的"結構性傷口"，那麼運營費用的高企則是讓虧損持續失血的第二道“裂痕”。2023—2025年，公司銷售、行政與研發三項費用合計佔收入之比分別高達 89.2%、71.2%、90.9%——意味着每有1塊錢收入，就有差不多9毛屬於運營費用開支。

而在三費結構中，研發開支是最"重"且最剛性的那一塊，三年分別佔收入的34.4%、30.5%、35.3%，這説明基本半導體仍處在IDM能力建設和車規產品爬坡的投入期。

由此可見，基本半導體持續虧損並非單一環節失守，而是“平均售價在紅海中率先坍塌、IDM重資產的固定成本卻因產能利用率不足而攤不薄、疊加高剛性運營費用”三者形成的結構性利潤擠壓——這使得單位經濟模型在行業下行期仍未跑通。

若基本半導體正式掛牌時，碳化硅產業鏈仍未進入清晰的上行週期，那麼市場對其定價大概率會被迫回到“燒錢追趕者”的折價框架裏——即便股東矩陣與車規敍事再強，也很難在二級市場博得寬鬆的高估值。