智通財經APP獲悉，當地時間週二，三星電子(SSNLF.US)在美國加州聖克拉拉舉行的“未來內存與存儲”大會上，集中展示了面向人工智能(AI)時代的下一代內存技術，包括超過400層的V10 BV-NAND原型、垂直堆疊式高帶寬內存zHBM以及zNAND-O架構，力圖在近1萬億美元規模的存儲芯片市場中鞏固領先地位，並加速追趕在AI內存領域先發制人的SK海力士與美光科技(MU.US)。

作為全球最大內存芯片製造商，三星在大會上首次展示其V10 Bonding V-NAND(BV-NAND)原型產品。該芯片採用全新的晶圓鍵合架構，堆疊層數超過400層，相較前代V9 NAND，存儲密度提升約58%，同時讀寫速度與輸入輸出性能均得到改善。隨着AI工作負載從訓練大語言模型擴展到實時生成用户查詢答案，對高容量、高能效NAND閃存的需求快速增長，三星希望憑藉該技術更好滿足數據密集型AI系統的存儲需求。

在更前沿的領域，三星展示了其稱之為行業首款zHBM與zNAND-O架構的概念模型，描繪出3D堆疊內存的未來路線圖。

與目前置於AI處理器旁的傳統HBM不同，zHBM將高帶寬內存垂直堆疊在AI加速器上方，大幅縮短數據搬運距離。三星表示，與下一代HBM5相比，這套系統可實現約8倍的性能提升，內存密度提高10倍以上，能效提高三倍，熱阻降低一半以上，並支持定製化設計。不過，公司尚未給出HBM5及zHBM的具體量產時間表，計劃於今年下半年優先擴大HBM4的生產規模。同時亮相的zNAND-O則基於V-NAND技術，專為實時、數據密集型的AI應用場景優化。

三星的技術攻勢正值存儲芯片巨頭之間圍繞AI數據中心訂單展開激烈爭奪之際。SK海力士憑藉早期佈局在AI內存市場中佔據了先發優勢，美光同樣積極搶單。三星此次突出“端到端AI基礎設施供應商”的定位，不僅在內存硬件上推進，還同步披露了下一代存內計算芯片和高容量企業級存儲的產品路線圖。

從需求端看，雖然部分投資者擔憂中國智能手機市場疲軟可能抑制長期內存需求，但分析師普遍看好AI需求的強勁動能。三星上週披露，與客户簽訂的長期協議最終有望覆蓋公司內存銷售額的60%至70%。

花旗分析師也在上月的報告中指出，儘管終端市場存在走軟擔憂，目前DRAM與NAND全供應鏈的庫存仍顯著低於歷史水平，這將為行業提供緩衝，並強化AI驅動的增長預期。