美光科技

智通財經APP獲悉，存儲芯片巨頭美光科技(MU.US)上週六宣佈，計劃以18億美元從力晶積成電子製造股份有限公司(力積電)手中收購其位於中國臺灣的一處晶圓廠設施，以擴充其存儲芯片產能。該公司表示，將接管力積電位於臺灣銅鑼的P5廠區，並計劃在交易於第二季度完成後分階段提升DRAM產量。美光科技預計，該交易將在2027年下半年帶來顯著的DRAM晶圓產出。美光科技還表示，雙方將就美光科技的晶圓後段封裝與組裝展開合作，並支持力積電的傳統DRAM產品組合。

這筆交易標誌着美光科技持續推進全球擴張的最新舉措。數據顯示，美光科技上週五收漲7.76%，原因是該公司當天在美國紐約州奧農多加縣舉行的內存製造綜合體奠基儀式。該項目總投資高達1000億美元，規劃建造最多四座晶圓廠，建成後將成爲美國規模最大的半導體制造基地，同時也是全球最先進的存儲芯片生產基地之一。美光科技表示，該設施預計於2030年正式投產，產能將在隨後十年內逐步釋放，以滿足人工智能、數據中心及高性能計算等領域對先進存儲芯片持續增長的需求。

美光科技股價在2025年累計上漲逾240%，今年以來再度上漲近27%。美光科技股價的亮眼表現得益於存儲行業在人工智能(AI)基建浪潮的推動下進入上行週期。2025年，隨着全球AI基礎設施建設進入爆發期，存儲行業迎來“超級週期”。核心邏輯在於，一方面，AI服務器對存儲容量和帶寬的需求遠超普通服務器。另一方面，行業產能向高端存儲產品傾斜(如HBM)，擠壓了傳統存儲產品的產能，從而引發了整個存儲行業的漲價潮。

值得注意的是，存儲行業的這輪“超級週期”還有望持續至整個2026年，美光科技在去年12月公佈的財報中給出了極度樂觀的業績展望便能印證這一點。美光科技當時預計，2026財年第二季度營收爲183-191億美元，好於已被多次上調的市場預期144億美元;預計第二季度調整後每股收益爲8.22-8.62美元，遠超市場預期的4.71美元。這一指引表明在全球AI基建浪潮下對存儲芯片的需求十分強勁。該公司還將2026財年資本開支預期從180億美元提高至200億美元，凸顯出持續炸裂的存儲芯片需求開始推動該公司加速產能擴張步伐。

花旗集團分析師的看漲姿態更爲激進。該行分析師認爲，受AI智能體普及和AI CPU內存需求激增的驅動，存儲芯片價格將在2026年出現失控式上漲。花旗分析師們將2026年DRAM的平均售價(ASP)漲幅預期從原本的53%暴力上調至88%，NAND的漲幅預期從44%上調至74%。

野村分析師則判斷，這一輪始於2025年下半年的“存儲行業超級週期”將至少延續至2027年，並且真正有意義的新增供給最早要到2028年初期纔會出現。野村分析師表示，投資者們在2026年應繼續超配存儲龍頭，把存儲芯片“價格—利潤—估值”三擊作爲2026年存儲投資主線，而不是僅把存儲當HBM單一題材。

存儲行業的高景氣度也獲得了來自美光科技內部人士“真金白銀的投票”。美光科技此前透露，其董事Teyin Liu購入2.32萬股美光科技普通股，交易規模爲780萬美元。此次購入的價格區間爲每股336.63美元至337.50美元。交易完成後，Teyin Liu直接持有25,910股美光科技股票。