英伟达

智通財經APP獲悉，據知情人士週一透露，三星電子計劃於下個月開始生產其下一代高帶寬內存(HBM)芯片，即 HBM4，並將其供應給英偉達(NVDA.US)。

在去年早些時候因供應延遲打擊了收益和股價後，三星一直試圖追趕同城對手 SK 海力士。後者是英偉達人工智能加速器所需先進內存芯片的主要供應商。

芯片行業消息人士表示，三星已通過了英偉達和 AMD 的 HBM4 資格測試，並將於下個月開始向英偉達出貨。

三星電子 DS 部門已決定從 2 月起啓動英偉達用 12 層堆疊 HBM4 的晶圓投片。該產品在去年底進入英偉達最終認證階段，使三星電子在全球三大存儲芯片廠商的進度領先於海力士和美光。

一位瞭解三星電子內部情況的消息人士表示，如果 12 層堆疊 HBM4 在無需修改設計的情況下順利通過認證，那麼從 2 月投片開始，三星還需要大約 3 個月完成工藝優化。按照這一節奏，具備商業供貨條件的量產產品或將在 5 月中旬形成規模，並在隨後逐步擴大出貨。

SK 海力士在去年 10 月曾表示，已完成與主要客戶關於明年 HBM 供應的談判。

SK 海力士的一位高管本月初表示，該公司計劃下個月開始在韓國清州的新工廠 M15X 部署硅晶圓以生產 HBM 芯片，但未詳細說明 HBM4 是否屬於初期生產的一部分。

三星和 SK 海力士都定於週四公佈第四季度財報，屆時預計將分享 HBM4 訂單的詳細信息。

英偉達首席執行官黃仁勳在本月初表示，隨着這家美國公司準備在今年晚些時候推出與其配套的 HBM4 芯片，該公司的下一代芯片——Vera Rubin 平臺已進入“全面生產”階段。