拉姆研究

应用材料公司

智通財經APP獲悉，全球最大規模半導體設備製造商之一應用材料(AMAT.US)與存儲芯片領軍者美光科技(MU.US)以及總部位於韓國的SK海力士於美東時間週二宣佈，它們已經達成重大合作，將開發並構建DRAM、高帶寬存儲器(即HBM存儲系統)以及數據中心NAND存儲系統最前沿解決方案以及升級迭代路線，以全面提升存儲芯片整體產能以及人工智能訓練/推理系統的綜合性能。

據瞭解，應用材料與美國存儲巨頭美光雙方計劃利用應用材料位於硅谷的EPIC超級中心以及美光位於愛達荷州博伊西的創新研發中心，進一步強化美國本土的半導體創新管線。應用材料表示，與美光進行深度合作後，雙方戰略重點將放在加速推進DRAM、HBM和NAND生產技術上，其合作將整合應用材料EPIC中心的專業知識以及美光在愛達荷州博伊西創新中心的創新成果。

應用材料與韓國存儲巨頭SK海力士的合作則將專注於改進用於存儲芯片的前沿材料、先進工藝集成以及用於下一代高性能DRAM和HBM存儲系統的3D級別先進封裝技術，這些工作也將在應用材料EPIC中心進行。

應用材料攜手全球三大存儲芯片製造巨頭中的其中兩大巨頭——即美光以及SK海力士共同開發前沿存儲芯片並積極擴張存儲芯片產能，可謂凸顯出在全球範圍AI算力基礎設施建設浪潮如火如荼以及“存儲芯片超級週期”宏觀背景之下，半導體設備廠商們也迎來超級增長週期，它們將是AI芯片(涵蓋AI GPU/AI ASIC)與DRAM/NAND存儲芯片產能急劇擴張趨勢的最大規模受益者。

最近多家華爾街金融巨頭髮布研報稱，半導體設備板塊乃AI算力與存儲需求爆表之下的最大贏家之一。隨着微軟、谷歌以及Meta等科技巨頭們主導的全球超大規模AI數據中心建設進程愈發火熱，全方位驅動芯片製造巨頭們3nm及以下先進製程AI芯片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND存儲芯片產能擴張大舉加速，半導體設備板塊的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。

美國銀行近日發佈的研報顯示，全球AI軍備競賽仍處於“早期到中期階段”;全球最大規模資產管理巨頭之一的先鋒領航近日在一份研究報告中指出，人工智能投資週期可能僅完成了最終峯值的30%-40%。根據機構彙編的最新分析師預期，亞馬遜連同谷歌母公司Alphabet、Facebook母公司Meta Platforms Inc.，以及甲骨文公司和微軟，預計將在2026年的累計人工智能相關資本支出達到大約6500億美元，還有一些分析師認爲整體支出可能超過7000億美元——意味着同比AI資本開支增幅可能超過70%。

在最新聲明中，美光科技董事長、總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示：“高性能內存和存儲器是人工智能技術發展的重要推動力量，而這些技術的持續創新對於釋放人工智能的全部潛力至關重要。數十年來，美光一直與應用材料合作，爲新型內存和存儲設備提供材料工程創新;我們很高興將這一合作關係擴展至應用材料位於硅谷的新EPIC中心。再結合美光位於美國的研發和製造樞紐，這一合作關係打造了一條獨特的從實驗室到最終晶圓廠的創新管線，以推動美國存儲技術創新的發展。”

此次深度合作還包括3D先進封裝技術方面的共同研發，以實現適用於高功耗人工智能工作負載體系的高帶寬、低功耗類型綜合存儲解決方案。雙方還表示，應用材料全新的50億美元EPIC超級中心構成了美國在最前沿半導體設備研發領域規模最大的投資之一。

美光執行副總裁兼首席技術與產品官Scott DeBoer表示：“我們與應用材料在EPIC中心的合作，不止於下一代先進存儲製程節點——更在於推動顛覆性設備、材料和工藝的進步，從而實現未來的內存組件與存儲器架構、技術，以及實現更強勁性能和更高能效比所需的極限微縮，以滿足大型客戶們的需求。”

“谷歌AI算力鏈”以及“英偉達GPU鏈”都離不開的存儲芯片

隨着美國/以色列與伊朗之間的戰爭全面爆發且向中東多國蔓延，引爆新一輪席捲全球經濟的地緣政治超級風暴，投資者們在油氣價格飆升的背景下風險偏好急劇降溫，他們對於尚處脆弱復甦進程的全球經濟即將因失控式狂飆的能源價格陷入“滯脹”的嚴重擔憂情緒導致全球股債市場以及加密貨幣市場近期遭遇重創。

但是來自華爾街金融巨頭美國銀行的分析師團隊近日發佈研報稱，最新供應鏈調研以及存儲產業鏈追蹤調查顯示，以存儲芯片爲核心的全球存儲行業依舊處於“存儲超級週期”(Super-cycle)之中，中東地緣政治衝突對存儲產業與核心供應鏈的衝擊以及對於基金經理們對存儲領域牛市看漲基調的衝擊幾乎爲零。尤其是核心半導體設備主要來自美國和歐洲，通常以空運方式運輸，無需經過霍爾木茲海峽。

無論是谷歌主導的無比龐大TPU AI算力集羣，抑或海量英偉達AI GPU算力集羣，均離不開需要全面集成搭載AI芯片的HBM存儲系統，且除了HBM，當前谷歌與OpenAI科技巨頭們加速新建或擴建AI數據中心還必須大規模購置服務器級別DDR5存儲以及企業級高性能SSD/HDD等存儲解決方案;不同於希捷與西部數據集中於壟斷近線大容量HDD，閃迪聚焦高性能eSSD，三星電子、SK海力士以及美光這三大存儲芯片原廠正好同時卡在多個核心存儲領域：HBM、服務器DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端數據中心企業級SSD(eSSD)，是“AI內存+存儲棧”裏最直接的受益者勢力，這些存儲領軍者們可謂共同吃到AI基建“超級紅利”。

法國巴黎銀行(BNP PARIBAS)近日發佈研報稱，DRAM合約價在2026自然年一季度料環比大漲90%，長期以穩健價格曲線著稱的NAND則有望大幅上漲55%，而且二季度將延續自2025年下半年以來的漲價軌跡。目標股價方面，法國巴黎銀行分析師團隊更是給予美光高達500美元的12個月內目標價。美光週二收漲3.54%至403.11美元。

法巴銀行對於存儲價格的漲勢判斷並不是孤立觀點。TrendForce最近將2026年第一季度的常規DRAM合約價預期從此前預估的季增55%-60%上修到+90%至+95%(QoQ，即環比基準)、NAND Flash合約價格則大幅上修到+55%至+60% QoQ，並指出北美雲計算廠商們對enterprise SSD(即數據中心企業級SSD，eSSD) 的需求激增，推動其價格在第一日曆季度還將再漲53%至58% QoQ。這些都說明一個關鍵事實：存儲芯片成爲AI超級大浪潮裏不遜於英偉達AI芯片的“絕對C位”，並且仍是這輪浪潮中最先出現供需失衡、最先體現定價權的核心供應瓶頸之一。

AI算力與存儲芯片需求野蠻擴張! 半導體設備迎接超級週期

史無前例的AI基建浪潮與存儲超級週期，可謂把半導體推入了一個更“材料密集、過程控制密集、封裝工藝前移”的新階段：邏輯側三維結構與新材料疊加、存儲側HBM堆疊與互連升級、封裝側CoWoS/混合鍵合把系統性能轉化爲製造難度——這三股力量共同提高了沉積/刻蝕/CMP/先進封裝/核心量測等關鍵環節的價值密度，並且把半導體設備需求從“週期波動”更明顯地改寫爲“結構性大擴張週期”。

尤其值得注意的是，先進封裝正從“焊凸點時代”向“混合鍵合(Hybrid Bonding)時代”加速遷移：混合鍵合通過銅-銅直接互連進一步縮短互連長度、提升I/O密度、降低能耗，正好擊中AI 訓練/推理對帶寬-延遲-功耗的極致約束。應用材料不僅在官網系統闡釋混合鍵合相對 TSV 的性能/功耗優勢，還推出面向規模化的混合鍵合平臺，並通過入股 BESI(混合鍵合設備龍頭之一)來強化“工藝-裝備協同”的產業卡位。

當前全球AI算力基礎設施與數據中心企業級存儲芯片需求可謂持續呈現出指數級增長趨勢，供給端遠遠跟不上需求強度，這一點從“全球芯片之王”臺積電(TSM.US)近期公佈的無比強勁業績與大超預期的資本開支指引，以及全球半導體設備領軍者應用材料與泛林(即Lam Research Corp)大幅增長的業績與展望中就能明顯看出。

如果把半導體設備能力拆開來看，應用材料的核心優勢集中於“材料工程+最前沿技術集成+佔據先進封裝高地”。它在存儲擴產中最關鍵的底座，不只是傳統薄膜沉積，而是圍繞HBM/DRAM/NAND 所需的沉積、CMP(化學機械拋光)、計量/檢測、混合鍵合(hybrid bonding)和3D先進封裝形成系統方案。應用材料官方明確把HBM定義爲其重點方向，並強調HBM的性能提升不僅來自先進製程DRAM die 本身，更來自3D封裝和互連技術;該公司的hybrid bonding路線已適用於NAND，並被存儲芯片大廠們視爲未來DRAM/HBM進一步堆疊的重要路徑。換句話說，Applied 更像是“把材料、製程與封裝整合成一套可量產平臺”的公司。

在芯片廠，應用材料身影可謂無處不在。不同於阿斯麥始終專注於光刻領域， Lam Research(泛林)重心更偏向刻蝕、清洗、圖形化與關鍵薄膜製程，集中在先進HBM存儲所需的高深寬比(HAR)刻蝕/沉積與相關工藝能力，應用材料提供的高端設備在製造芯片的幾乎每一個步驟中發揮重要作用，其產品涵蓋原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、快速熱處理(RTP)、CMP、晶圓刻蝕、離子注入等重要造芯環節。

應用材料在其最新的技術解讀中指出HBM製造流程相對傳統DRAM額外增加約19個材料工程步驟，並聲稱其最先進的半導體設備覆蓋其中約75%的步驟，同時也重磅發佈面向先進封裝/存儲芯片堆疊的混合鍵合系統，因此HBM與先進封裝製造設備可謂是該公司中長期的強勁增長向量，GAA(環繞柵極)/背面供電(BPD)等新芯片製造節點設備則將是驅動該公司下一輪強勁增長的核心驅動力。