美光科技

智通財經APP獲悉，花旗將美光科技(MU.US)的股票目標價從 425 美元大幅上調至 840 美元，並維持“買入”評級。理由是預期該公司將提高動態隨機存取內存(DRAM)的價格。

分析師表示：“我們將美光的目標價從 425 美元(對應 2027 自然年每股收益的 5 倍)上調至 840 美元(對應 2027 自然年每股收益的 8 倍)，因為我們認為，繼同行三星在第一自然年提價 100% 之後，美光將在第二自然年將 DRAM 價格提高 40% 以上。此外，我們預計 DRAM 的景氣週期將持續到 2027 自然年，並預計 HBM[高帶寬內存]的價格明年將會上漲。”

“今年大部分的 DRAM 提價都集中在商品化或非 HBM DRAM 的供需失衡上。儘管鑑於應用材料(AMAT.US)等設備製造商近期給出的硅系統銷售額增長 30% 以上的預期，我們認為截至 2026 年底 DRAM 的位元供應增長率正走向 30%，但仍需要額外的新晶圓產能來滿足 2027 年的 AI 需求。我們將美光的預測與花旗的研究觀點進行了對齊，即 2026 年 DRAM 的平均售價(ASP)將同比飆升 200%，而 2026 年 NAND 的平均售價將同比上漲 186%。”

韓國公司 SK 海力士和三星電子位列全球最大的內存芯片製造商之列。SK 海力士是英偉達HBM 芯片的主要供應商。三星和美光在這一領域與 SK 海力士展開競爭。

花旗分析師指出，HBM 的供應依然緊張。分析師補充道，鑑於 3 比 4 的晶圓轉換率以及 HBM 與商品化市場之間的利潤率差異，目前內存製造商缺乏轉換或增加額外 HBM 產能的動力。

3 比 4 的晶圓轉換率通常是指 3 英寸和 4 英寸半導體襯底之間的物理切換或加工成本對比。

分析師還補充稱，由於 HBM 產能緊張，他們預計 HBM 的定價在 2027 年會走高，且內存製造商在增加供應時會保持克制，以防止明年 AI 數據中心削減 HBM 的搭載量。分析師提到，上週為了應對強勁的定價，思科已經在包括無線產品在內的 20 多個項目中將 DRAM 的搭載量削減了 50%。

HBM產能的製造流程獨特，包括存儲芯片行業迄今最為複雜的先進封裝、硅通孔(TSV)以及良率問題。潔淨室嚴格限制及更高級別綠色能效要求阻礙了快速擴張產能以應對價格飆升。傳統上，當價格對存儲芯片廠商們極為有利時，供應通常會很快跟進增加。但目前行業面臨諸多結構性限制——尤其是製造與封裝工藝極度複雜的HBM愈發擠佔產能、通用DRAM/NAND供給彈性不足，而AI驅動的需求增長速度持續超預期。

在第一季度的業績電話會議中，美光管理層特別提到面向AI基礎設施的高容量數據中心SSD、KV緩存部署以及與英偉達AI算力基礎設施集羣相關的PCIe Gen6 SSD需求爆發。這表明AI相關存儲芯片需求遠比許多華爾街分析師預期範圍的要廣。現代AI基礎設施不僅消耗更多HBM內存，還需要高帶寬DRAM、更多存儲容量以及高速SSD基礎設施，以滿足檢索和agentic AI(即AI智能體)工作負載的增長需求。新興AI應用，包括機器人、多AI代理系統和多模態推理模型，也在持續創造新的存儲需求向量，意味着AI存儲密集度可能在AI部署完成後仍繼續指數級增長。

正如美光科技數據中心業務部門高級副總裁兼總經理Jeremy Werner在最新採訪中揭示的那樣，從底層的AI數據中心數據流處理工程邏輯看，這輪行情的底層驅動力不是“AI需要更多計算芯片”這麼簡單，而是Claude Cowork，以及OpenClaw等AI智能體主導的AI推理時代把內存/存儲從配套組件推成系統瓶頸。

AI訓練工程更依賴大規模並行計算，而推理尤其是長上下文、多輪對話、Agentic AI工作流，需要持續保存KV Cache、上下文狀態和中間結果;內存/存儲空間不足時，模型不得不重複計算曆史狀態，GPU利用率下降、token生成成本上升。因此，HBM、DDR5、LPDDR、企業級SSD乃至HDD/數據湖，正在形成一條從GPU近端到遠端存儲的“AI記憶鏈”，決定AI系統的吞吐、延遲、併發能力和單位token經濟性。這也是為什麼美光、三星、SK海力士、閃迪、西部數據等存儲與數據存儲股出現聯動狂飆：需求不是隻集中在HBM，而是沿着AI服務器架構向DRAM、NAND、SSD和HDD全鏈條外溢。