美光科技

閃迪

智通財經APP獲悉，總部位於韓國的全球三大存儲芯片原廠之一，同時也是在HBM領域擁有最高市場份額的的存儲芯片巨頭——SK海力士(SK Hynix Inc.)已向美國證券交易委員會(即SEC)提交F-1表格註冊聲明(修訂版)，擬將其股票在美股納斯達克市場上市交易。

該公司計劃以美股ADR代碼“SKHY”上市其美國存托股票，即美股市場ADR。其中每份ADS代表該公司韓國股市普通股中未披露的一部分，其普通股每股面值5000韓元，並在韓國證券交易所KRX KOSPI市場上市。該公司在這份最新文件中表示，6月24日，其董事會決議，與此次發行相關的新發行普通股最高數量為1779萬股，約佔截至該決議日期其已發行且流通在外的普通股總數約7.12702億股的2.50%。

該公司擬將此次發行所得淨收益用於與該公司在韓國建設存儲芯片重大產能擴張設施相關的45.5萬億韓元資本開支。該公司還計劃將資金用於採購昂貴的EUV光刻機，預計其成本約為11.9萬億韓元，並且預計將在2027年12月前收到批量交付。

SK海力士還預計，將使用經營活動現金流、現有及未來信貸額度和債務證券項下的某些借款，以及其他融資資源，來為完成重大產能擴張基礎設施建設和採購所需金額中超出此次美股市場發行所得淨收益的部分提供資金。

美國銀行、花旗集團、高盛和摩根大通等華爾街金融巨頭們將擔任此次大型IPO的全球協調人。

該公司上週表示，預計其股票將於7月10日開始在美股市場交易。該公司尋求通過此次上市籌集45.45萬億韓元(即大約約294億美元)。

HBM王者借AI狂潮赴美上市融資，全球資金大舉押注“硅基通脹”

按擬議的籌資與發行規模測算，具體則取決於匯率，SK海力士的美股ADR發行將躋身全球股票市場史上前三大首次股票發行之列。根據機構彙編的數據，它將可與沙特阿美2019年294億美元的超級IPO相媲美，全球最大規模IPO則是馬斯克創立的SpaceX至少750億美元的無與倫比籌資規模。

SK海力士是向英偉達(NVDA.US)等AI芯片領軍者們供應高帶寬內存，即HBM存儲系統的最核心供應商。此次美國上市計劃也為SK海力士的非凡崛起畫上一個階段性句號。成為在全球堪稱AI芯片壟斷地位的AI芯片超級霸主商英偉達(NVDA.US)的首選HBM供應商後，它成為高帶寬內存組件系統(即HBM系統)的全球最大HBM市場份額供應商。這使其在市值以及整體DRAM份額上一度超越長期以來的韓國競爭對手三星電子公司。

據瞭解，此次美國股票市場存託憑證(即美股ADR)發行發生在SK海力士在韓國首爾市場交易的股票過去12個月瘋狂上漲約850%之後，這推動該公司市值升至1萬億美元以上，一度超越韓國長期以來最大市值公司三星電子。由於倉位愈發擁擠且槓桿化策略規模越來越大，圍繞與AI算力基建狂潮相關的半導體公司的投資者情緒近期一直波動不定，其今年以來的整體上漲過程中夾雜着雙向劇烈波動。

SK海力士(SK Hynix Inc.)可謂積極尋求通過在美國股票市場上市交易來募集45.45萬億韓元(294億美元)，以利用全球投資者們對近年來股價狂飆且極度稀缺的存儲芯片超級巨頭股票的強勁需求。SK海力士赴美上市計劃令資金蜂擁而至，加之美國存儲芯片巨頭美光(MU.US)剛公佈的無比強勁業績與展望，可謂凸顯出存儲芯片超級週期遠未謝幕。

SK海力士欲籌集約294億美元的赴美上市計劃與美光最新公佈的“業績+指引”雙爆表，合在一起可謂大幅強化了一個市場堅定的樂觀週期判斷：即所謂的“存儲超級週期”遠遠未完結，而且已經從傳統PC/智能手機週期，升級為AI數據中心主導的結構性稀缺超級週期。美光驗證的是需求端真實強度，SK海力士驗證的是資本端追捧熱度，凸顯出投資者仍願意為“存儲芯片供給瓶頸”支付高溢價。

今年以來全球資金所謂“尋覓硅基通脹、削弱碳基”的宏大投資敍事，本質是資本從傳統制造、汽車、消費、地產、能源等依賴人口、資源和線性經濟增長的“碳基資產”，轉向AI算力基礎設施相關的圍繞硅片的高端製造鏈條。

當前全球資金擁抱“硅基通脹”的核心邏輯無疑在於——AI時代最稀缺的不是傳統勞動力、地產或一般類型的生產與製造產能，而是GPU/ASIC、HBM/DRAM/NAND存儲芯片、數據中心CPU組件、高性能以太網基礎設施、先進封裝產能、EUV等最前沿半導體制造設備、數據中心電力鏈條以及數據中心光互連/光通信這些“硅基生產資料”。

HBM漲價、NAND長協與EUV擴產共振，存儲芯片正在從“週期性商品波動”邁向“近乎無止境算力剛需”

SK海力士赴美上市的核心意義，也許不只是融資，而是把HBM龍頭從韓國本土週期股估值折價框架推向美國AI算力基礎設施資產定價體系。正如以上所描述的那樣，SK海力士赴美上市計劃以及全球資金對於該公司美股ADR需求熱度所驗證的是資本端追捧熱度，凸顯出投資者仍願意為“存儲芯片供給瓶頸”支付高溢價。

SK海力士作為英偉達、谷歌等AI系統所需高帶寬內存(HBM)的核心供應商，如果能在美股市場獲得接近美光等可比公司的估值倍數，其韓國本土股票也可能被反向重估。 從產業工程角度看，HBM已經不是普通存儲配件，而是決定GPU/ASIC集羣吞吐、功耗效率和推理併發能力的關鍵約束;SK海力士用美股融資鎖定龍仁、清州先進封裝與EUV產能，本質是在AI算力短缺時代提前鎖定“內存帶寬供給權”。

高盛6月DRAM調查所揭示的是HBM定價權正在被傳統DRAM緊缺重新錨定。DDR5現貨價格自5月1日以來上漲20%，較5月合約價溢價25%;DDR4同期上漲11%，溢價高達45%，這意味着現貨市場已經大幅領先合約市場，後續合約價格仍有上修壓力。更關鍵的是，高盛將三星2027年HBM價格同比增長預測從+14%大幅上調至+44%，並認為在HBM供需偏緊、傳統DRAM與HBM價差擴大的背景下，預測仍有上行風險。

韓國5月DRAM出口環比增長21%、同比增長370%，中國台灣服務器ODM合計營收同比增長53%、全球最大服務器BMC芯片供應商Aspeed營收同比增長69%，足以聯合説明這輪存儲漲價並非單一庫存補庫，而是AI GPU機架級服務器、AI ASIC服務器機架、HBM封裝和傳統DRAM供給再分配共同造成的系統性緊張。換句話説，HBM漲價邏輯不是孤立存在的，而是整個AI數據中心內存層從“容量資源”升級為“帶寬資源、功耗資源和交付資源”的結果。

此外，華爾街金融巨頭伯恩斯坦在最新研報中大幅上調閃迪目標價至3000美元，則代表NAND存儲芯片端的估值邏輯也在發生顯著變化：市場不再只看短期NAND現貨價格，而是開始給長期供貨協議(LTA)帶來的現金流可見度和下行保護重新定價。

伯恩斯坦將閃迪(SanDisk)目標價從1700美元大幅上調至3000美元，並維持跑贏大盤評級。伯恩斯坦表示，新一代LTA與歷史上偏向客户的“保供協議”不同，開始引入固定價格或價格區間、客户資金承諾或金融擔保、3至5年合同期限，使存儲廠商第一次在價格下行週期中獲得更強的盈利緩衝。按伯恩斯坦最新進行的壓力測試，若閃迪60%出貨量受LTA覆蓋，即使NAND價格較峯值暴跌72%至0.11美元/GB，2030財年EPS仍可達214美元，而無LTA保護僅約81美元;若到FY30在極端0.06美元/GB ASP壓力下，60%至80% LTA覆蓋仍可支撐綜合ASP維持在0.19至0.24美元/GB、毛利率保持80%以上。

這些最新市場動態都意味着AI數據中心正在同時重估DRAM/HBM的“稀缺定價權”和NAND的“合約現金流屬性”：週期不會消失，但存儲芯片原廠公司們的長期低估值、強波動、純商品化標籤正在被全球AI數據中心建設進程對於AI算力資源近乎無止境的剛需和長期鎖價合同系統性大幅度削弱。

屢創歷史新高的三星與SK海力士股價漲勢遠未完結?

野村是目前最激進的看多存儲芯片板塊的大型金融機構。野村在近日發佈的一份研究報告中，將三星電子目標價從34萬韓元上調至59萬韓元，將SK海力士目標價從234萬韓元上調至400萬韓元，對應潛在上漲空間分別約118%和120%。

野村的核心看漲邏輯在於，AI已經把存儲從傳統PC/手機週期品改造成數據中心長期成長資產：智能體AI推理需要巨量鍵值緩存(KV Cache)，HBM供給顯著落後於需求;其預計全球數據中心整體資本開支將從去年的1.16萬億美元增至2030年的6.13萬億美元，其中內存佔數據中心投資比重有望從當前9%升至23%，因此三星與SK海力士約6倍12個月前瞻市盈率明顯低估，存在向台積電約20倍估值體系靠攏的重估空間。

無論是谷歌無比龐大的TPU AI算力集羣，抑或天量級別英偉達AI GPU算力集羣，均離不開需要全面集成搭載AI芯片的HBM存儲系統，疊加當前科技巨頭們加速新建或擴建AI數據中心必須大規模購置服務器級別DDR5存儲以及企業級高性能SSD/HDD;而三星電子、SK海力士以及美光科技正好同時卡在這三塊最核心存儲領域：HBM、服務器高性能DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端數據中心級別SSD，是“AI內存+存儲堆棧”裏最直接的受益勢力，可謂吃到AI基建浪潮的“超級紅利”。

GPU負責生成智能，HBM/DRAM負責高速喂數，企業級NAND/eSSD負責熱數據與緩存，而HDD負責天量級別的冷/温數據的長期留存，因此高盛等華爾街金融巨頭們認為雲計算巨頭們主導的AI算力軍備競賽正在把存儲芯片從週期品推成稀缺戰略資產，2026年DRAM/NAND漲價不是尾聲，而可能是超級週期的初步階段。

知名半導體產業鏈研究機構SemiAnalysis最新發布的一項研究顯示，儘管中國DRAM存儲巨頭長鑫存儲未來幾年將維持全球最快的擴產節奏之一，但SemiAnalysis並不認為這會改變DRAM市場供給偏緊的大趨勢。相反，該機構認為，AI服務器、高性能計算以及雲計算基礎設施建設正在持續推高存儲需求，而新增產能釋放速度仍難以追上需求增長。

根據SemiAnalysis測算，即便將長鑫存儲、三星、SK海力士和美光等主要廠商的擴產計劃全部納入模型，2026年全球DRAM市場仍將面臨高個位數比例的供應缺口;到2027年，供需缺口甚至可能進一步擴大至低至中雙位數水平。基於這一判斷，該研究機構預計DRAM供給緊張格局有望延續至2028年前後。換句話説，即便長鑫存儲快速崛起並持續擴產，也難以從根本上扭轉行業供不應求的局面，這也是SemiAnalysis持續看多DRAM價格以及整個HBM/DRAM/NAND存儲行業景氣週期的重要邏輯基礎。