英偉達

智通財經APP獲悉，三星電子已完成其第六代高帶寬內存(HBM4)芯片的開發，並正進入量產準備階段。

這家韓國科技巨頭目前正向英偉達(NVDA.US)發送HBM4原型樣品進行質量測試。三星的目標是在年底前完成HBM4的開發，一旦通過英偉達的質量測試，便可能立即開始量產。據悉，三星也正在建立即時量產的系統。

據瞭解，三星已完成了HBM4的“生產準備批准”階段，這是半導體開發流程中的第六步，也是量產批准前的最後一步。

自今年6月成功開發10納米級第六代DRAM(“D1c”)以來，該公司的HBM4開發進度加快。三星計劃利用領先競爭對手一代的D1c，憑藉性能更高的HBM4重獲競爭優勢。

三星在其第三季度財報業績中曾表示，HBM4樣品正在發往關鍵客戶。此外，公司表示，展望2026年，其內存業務將專注於量產具有差異化性能的HBM4產品。

今年9月，三星的競爭對手SK海力士表示，其已完成對人工智能工作至關重要的下一代內存產品HBM4的開發，並做好了量產準備。SK海力士是英偉達HBM芯片的主要供應商。美光科技(MU.US)在較小程度上也是這兩家韓國公司在該領域的競爭對手。