智通財經APP獲悉，三星電子(SSNLF.US)計劃在2026年投入超過110萬億韓元(約合733億美元)用於資本支出和研發，這反映出其正在擴大存儲芯片產能、並加大對人工智能(AI)等領域的探索。該公司週四在一份簡短聲明中表示，這項投資將用於鞏固其在AI技術領域的領先地位。

當前，存儲市場正處於供不應求的景氣週期。在AI基建熱潮引發的對高帶寬內存(HBM)的強勁需求的影響下，三星電子、SK海力士以及美光科技(MU.US)這些存儲芯片巨頭正將越來越多的產能分配至HBM，導致面向智能手機、PC及服務器的通用型DRAM出現嚴重短缺。

在此背景下，這些存儲芯片巨頭正在通過新建或升級製造設施和先進封裝廠來擴充產能。直到去年年底，這些企業還在謹慎控制產能擴張，吸取過往存儲芯片廠商之間陷入惡性價格戰的教訓。而如今，鑑於存儲芯片市場持續繁榮，他們正轉向積極擴產，因爲不增加生產線將難以滿足目前市場需求。

警惕2028年供需逆轉，三星與SK海力士“謹慎樂觀”

不過，考慮到建設產線通常需要約兩年時間，從2028年起，三星、SK海力士與美光科技的產能預計將整體躍升至新水平，屆時供需平衡可能面臨重新洗牌的風險。據知情人士透露，三星電子DS(半導體)事業部管理層正與業務支持團隊共同研判全球存儲半導體市場或於2028年前後出現逆轉的可能性。

因此，面對供需逆轉的潛在風險，三星、SK海力士選擇了“謹慎樂觀”。一方面，這兩家巨頭仍在積極擴大HBM和先進DRAM工藝的投資。三星正在華城基地推進10納米第五代(1b)DRAM製程轉換，並以平澤工廠爲核心擴建新產線。SK海力士則在其M15X新工廠持續推進下一代DRAM產線建設。這些舉措旨在抓住AI帶來的高利潤窗口期。

但另一方面，兩家公司對通用型DRAM的擴產計劃卻很審慎。SK海力士多次公開表態，將以“實際需求而非樂觀預期”作爲擴產依據。三星更是將“避免過度投資”列爲當前存儲業務戰略的重要關切。這種剋制，源於對2028年產能集中釋放後可能出現的過剩危機的深刻反思。

三星DS事業羣高層早前就曾指出，儘管目前AI需求帶動存儲芯片進入“超級週期”，但公司將優先考慮長期獲利能力，而非單純的市佔率擴張。這意味着在未來兩年內，三星將根據需求預測精確調整產能計劃，以避免過度擴張重蹈過去景氣循環的覆轍，同時謹慎擴產，將更多產能投入到能帶來高額利潤的HBM。

SK海力士先前也表達類似觀點，強調在擴大產能方面將保持極度審慎。SK海力士在其內部分析報告中指出，由於通用型DRAM(如DDR5、LPDDR6)的生產線持續向利潤更高的高帶寬內存(HBM)傾斜，消費級市場的供應緊張狀況可能一路持續到2028年。該公司計劃將資本支出重點放在先進封裝與HBM技術，而非傳統的晶圓產能翻倍。

相比之下，美光科技顯得更爲激進。該公司正在新加坡及美國大舉擴建DRAM產線，並自去年起大規模採購設備以提升HBM供給能力。考慮到晶圓廠約兩年的建設週期，美光科技的產能將在2028年前後集中釋放。