阿斯麥

拉姆研究

智通財經APP獲悉，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥(ASML.US)的首席執行官克里斯托夫·富凱(Christophe Fouquet)在週二表示，預計首批使用其下一代光刻機——即High-NA EUV光刻機設備製造的高性能芯片將在未來幾個月內正式交付。根據阿斯麥官方描述，High-NA EUV將面向2nm最前沿芯片製程之後——尤其是1.8nm/1.4nm級別及更後續製程節點的關鍵圖形化平台，還將覆蓋DRAM等存儲芯片最關鍵製造層。

與此同時，這家荷蘭公司正在迴應有關這項新技術成本的擔憂。這家計算機芯片設備製造商的最大客户之一——有着“芯片代工之王”稱號的台積電(TSM.US)上月表示，High-NA設備目前使用成本過高，每台成本最高可達4億美元。不過，克里斯托夫·富凱對這項最前沿光刻機技術的大規模採用前景表達了堅定信心。

“未來幾個月，我們將看到第一批產品，包括一些HBM/DRAM存儲芯片和邏輯芯片，在High-NA光刻機系統上進行曝光，”他在比利時安特衞普由研究機構imec組織的一場會議上表示。

“這些技術價格非常昂貴。它們需要權威認證。但它們的設計初衷始終是，隨着時間推移，降低實際圖形化成本。”Fouquet表示。

台積電、英特爾等先進製程芯片製造商們在AI GPU/ASIC以及HBM/DRAM存儲芯片需求近乎無止境之下對阿斯麥的EUV設備，即極紫外光刻設備的強勁需求，幫助這家荷蘭半導體設備製造商成為歐洲市值最高的公司。

EUV光刻機設備用於打印極其微小芯片電路。芯片製造商們如今正在測試該半導體制造設備的High NA版本，即高數值孔徑版本;這一版本將能夠製造出尺寸縮小最高達66%的特徵——類似於相機獲得更好的對焦/焦距能力。

美國老牌芯片製造巨頭英特爾(INTC.US)一直是為採用阿斯麥的High-NA光刻機設備做準備最激進的芯片製造公司，試圖藉此超越其長期以來的競爭對手台積電和三星。此外，包括SK海力士在內的存儲芯片製造商們近期也紛紛表示，打算使用這項新技術來打造HBM/DRAM存儲芯片。

台積電並未排除使用High-NA的可能性，但台積電高管Kevin Zhang表示，台積電將在未來幾代芯片中繼續使用阿斯麥當前的EUV光刻機系列產品，因為該公司仍在通過不需要更細線寬的創新先進製程芯片設計持續取得積極進展。

阿斯麥CEO富凱表示，史無前例的人工智能超級熱潮預計將在未來幾年推動芯片銷售額每年至少增長20%。他承認，業內一些人擔心阿斯麥的產能可能成為擴大芯片生產步伐的關鍵瓶頸，就像新冠疫情期間那樣。但他在向會議稍早發言的台積電和三星高管致意時開玩笑表示，他們才是人類社會步入AI時代真正的供應瓶頸，因為他們的公司必須擴大芯片生產步伐併購買更多阿斯麥光刻機產品。

阿斯麥所推出的EUV光刻機器，可以説是自2023年以來的史無前例全球AI熱潮之下，台積電、三星電子等最大規模芯片製造商們打造出為ChatGPT、Claude等全球最前沿AI應用提供最核心驅動力的AI芯片算力集羣的必備半導體設備，同時也是在當前這輪可能持續到2028年“存儲芯片超級週期”宏觀背景之下，SK海力士與美光科技等存儲巨頭們打造HBM存儲系統、數據中心企業級DRAM存儲組件等核心存儲設備所必需具備的機器系統。

何謂High-NA EUV光刻機?

在AI算力基礎設施建設狂潮與“存儲芯片超級週期”背景之下愈發強勁的半導體設備支出預期(尤其是自台積電大幅上調年度資本開支且台積電業績指引展望遠超市場一致預期，半導體設備支出預期愈發火熱)的大舉驅動之下，阿斯麥美股ADR(ASML.US)交易價格今年以來的累計漲幅已經高達25%，並且屢創歷史新高點位。在瑞銀、花旗以及KeyBanc等大型投資機構看來，阿斯麥股價的新一輪“主升浪”已然開啓。

近期所有關於催化先進製程AI芯片以及存儲芯片需求與產能擴張的消息動態，可謂對於半導體設備來説都是積極與正向。隨着微軟、谷歌以及Meta等科技巨頭們主導的全球超大規模AI數據中心建設進程愈發火熱，全方位驅動芯片製造巨頭們3nm及以下先進製程AI芯片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND存儲芯片產能擴張大舉加速，半導體設備板塊的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。

阿斯麥推出的EUV光刻機器——並且仍是唯一能製造它們的半導體設備公司，幫助客户們將製程從7nm推進到英偉達與蘋果所採用的3nm先進製程。High NA EUV機器則旨在將幾何尺寸推進到2nm甚至以下。芯片上更小尺寸的電路意味着更強勁的性能。

對於台積電，以及英特爾和三星電子正在研發的2nm及以下節點製造技術而言，阿斯麥新推出的high-NA EUV光刻機可謂不可或缺。High-NA 的0.55 NA 加上非等倍率光學帶來分辨率與掩模和工藝整合新邊界，因此High-NA可謂是加速先進節點、減少多重圖形化、改善線寬/疊對的“強大工具”。

AI GPU/AI ASIC加速器的性能躍遷高度依賴先進邏輯節點(3nm到2nm，或者更先進的1.8nm、1.6nm)，而這些節點的關鍵層必須使用EUV甚至High-NA EUV來實現更小線寬與更高良率;阿斯麥的EUV/High-NA EUV設備明確面向3nm以及sub-2nm 邏輯與全球性能領先的DRAM的量產需求，是先進製程芯片加速擴產的“稀缺瓶頸型資本品”。

與此同時，AI訓練/推理還把“存儲側”同步點燃：與AI GPU/AI ASIC搭配的HBM存儲系統與企業級數據中心SSD既要求DRAM與SSD主控芯片製造節點繼續依賴EUV光刻機(HBM/DRAM製造商們甚至開始選擇High-NA )微縮芯片製程，又要求刻蝕、薄膜沉積、CMP工藝，以及最為關鍵的堆疊封裝與互連環節(TSV/混合鍵合先進封裝等)顯著增加製造步驟與設備密度。

從2nm先進製程到1.4nm戰場再到先進DRAM存儲，下一代光刻拐點到來

阿斯麥官方稱，TWINSCAN EXE:5000作為0.55 NA High-NA EUV系統，分辨率可達8nm，單次曝光可打印比當前NXE EUV系統小1.7倍的特徵，晶體管密度理論上可提升至2.9倍;有分析師也提到High-NA可製造最高縮小66%的特徵尺寸。具體到芯片廠商路線，英特爾最激進，High-NA主要被外界視為服務其Intel 14A，即約1.4nm級別製程;台積電則明確表示在未來幾代芯片中仍會繼續使用當前Low-NA EUV，A16也不一定需要High-NA，原因是High-NA設備價格過高、導入經濟性尚未達到最佳平衡。

應用方向上，富凱表示，未來幾個月內可能會看到第一批存儲芯片和邏輯芯片在High-NA系統上曝光。也就是説，High-NA不會只服務某一種類型先進製程芯片，而會同時面向先進邏輯芯片、AI加速器/AI CPU/GPU/TPU相關邏輯芯片製程，以及HBM/DRAM等先進存儲工藝。

英特爾、三星、SK海力士等都在進一步推進或評估High-NA，尤其SK海力士以及英特爾已經開始使用該技術;這與AI數據中心當前最緊缺的兩類資產高度相關：一是高性能邏輯芯片，二是HBM/DRAM/eSSD主控芯片背後的先進存儲層製造能力。

從產業事實看，High-NA進入DRAM是明確方向。阿斯麥官方稱其EUV系統支持sub-2nm邏輯節點和領先DRAM節點的量產路線，因此High-NA更可能用於1d/1e及後續先進DRAM關鍵層，支撐AI時代HBM更高密度、更高帶寬和更低功耗。High-NA會首先用於先進DRAM/HBM中的少數極關鍵、最細間距圖形層，用來提高單次曝光分辨率、減少多重圖形化步驟，並推動更高密度DRAM單元繼續微縮。從產業進度看，SK海力士是最明確的DRAM/HBM方向推進者之一。

有媒體報道程，SK海力士擬向阿斯麥採購約79.7億美元EUV設備，用於Yongin與M15X等新產能，目標是生產AI所需的HBM和先進DRAM;並且SK海力士與阿斯麥已在韓國利川M16工廠組裝首台商業High-NA EUV光刻系統，初期用於最先進HBM/DRAM結構原型快速開發，未來再向量產過渡。

HBM的本質是多層DRAM die堆疊+TSV+先進封裝，其中每一層DRAM die仍依賴前道DRAM製程。隨着AI需要更高容量、更高帶寬、更低功耗，DRAM單元、外圍電路、位線/字線、金屬互連等關鍵圖形層繼續微縮，High-NA就凸顯出獨家價值。它的意義不是“讓HBM堆疊更高”本身，而是讓單顆DRAM die密度更高、功耗更低、圖形化步驟更少、良率/成本曲線更可控，從而支撐未來HBM4E、HBM5或更後續代際。